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Samsung-Fertigung: 11-Nanometer-Chips und 7nm mit EUV

Samsung-Fertigung: 11-Nanometer-Chips und 7nm mit EUV


Christof Windeck

EUV-Lithografie-Maschine ASML TwinScan NXE:3350B

(Bild: ASML)

Im kommenden Jahr 2018 will die Foundry-Sparte von Samsung auch Chips mit 11-nm-Strukturen fertigen – ein Mittelding zwischen 14 und 10 nm.

Viele aktuelle High-End-Chips für Smartphones und PCs werden derzeit mit Fertigungsverfahren für 14- und 10-Nanometer-Strukturen (14nm/10nm) produziert. Dabei unterscheiden sich die tatsächlichen minimalen Strukturgrößen der Bauelemente allerdings je nach Produzent erheblich, weshalb sich die Fertigungsverfahren nicht alleine anhand von Bezeichnungen wie “14LPP” oder “14nm+” vergleichen lassen. Jedenfalls erweitert die Auftragsfertigungssparte von Samsung Semiconductor nun ihr Angebot: Zu 14LPP, 14LPE, 14LPU, 10LPE, 10LPP, 10LPU, 7LPP, 6LPP sowie noch nicht näher bezeichneten Fertigungstechniken für 8-nm- und später sogar 4-nm-Strukturen kommt nun noch 11LPP sowie eine Variante von 7LPP mit EUV- statt Immersionslithografie. Dazu offeriert Samsung weiterhin gröbere Strukturen, etwa fünf verschiedene 32/28nm-Verfahren.

200.000 EUV-Wafer

In der Ankündigung von 7LPP mit EUC betont Samsung, seit 2014 mit mehr als 200.000 Wafern Erfahrungen mit EUV-Belichtung gesammelt zu haben. Ab der zweiten Jahreshälfte 2018 will man dann 7nm-Chips mit EUV-Lithografie in Serie belichten.

14nm verkleinert

11LPP zielt auf Chips, für die sich die aufwendigere 10-nm-Technik nicht so recht lohnt: 11LPP ist laut Samsung im Grunde eine weiter geschrumpfte Version von 14LPP, die sowohl 15 Prozent höhere Transistor-Performance als auch 10 Prozent weniger Flächenbedarf bei gleicher Leistungsaufnahme des Chips vereinen soll.


(ciw)