/Flash-Speicher: Samsung stellt 1-Terabit-Chips vor

Flash-Speicher: Samsung stellt 1-Terabit-Chips vor

Flash-Speicher: Samsung stellt 1-Terabit-Chips vor


Lutz Labs

(Bild: Samsung)

Die nächste Generation von Samsungs Flash-Speicher ist in Sicht: Auf einem Die will Samsung mit Hilfe von QLC-Technik 1 Terabit speichern.

Die Kapazität von 3D-Flash erhöhen die Hersteller derzeit vor allem durch immer mehr Lagen. Toshiba hat bereits Speicher mit 96 Lagen angekündigt, Samsung stellte auf dem Flash Memory Summit vor allem seine nun für die Massenfertigung eingerichtete Fertigungsstätte für den hauseigenen 64-Lagen-Speicher in den Vordergrund. Die Entwicklung geht aber weiter: Zukünftige Flash-Zellen sollen vier Bit speichern (QLC, Quadruple Level Cell) – aktueller TLC-Speicher nutzt derer nur drei.

Im nächsten Jahr sollen erste SSDs mit QLC-Flash erscheinen. Samsung plant, 16 Dies mit einer Kapazität von je 1 TBit zu stapeln und so 2 TByte in einem einzelnen Speicherchip unterzubringen. Zur Haltbarkeit des Speichers gab es keine Angaben; er düfte etwas unter der von TLC-Speicher liegen, sich aber durchaus für die Verwendung in einer Desktop-Umgebung eignen. Eine erste SSD-Ankündigung gab es auch schon: Die Server-SSD PM1643 soll in einer 128-TByte-Version erscheinen; wahrscheinlich eher als Archiv-SSD.

Unterstützung für NGSFF

Den von Intel angekündigten neuen SSD-Formfaktor NGSFF will Samsung ebenfalls unterstützen, das Unternehmen ist einer der Gründer der zugehörigen Standardisierungsgruppe. Zwar ist der Standard noch nicht verabschiedet, Samsung will aber bereits im vierten Quartal 2017 mit der Produktion einer 16-TByte-SSD starten. NGSFF (Next Generation Small Form Factor) misst 30,5 mm × 110 mm × 4,38 mm und passt damit genau in ein 1HE-Servergehäuse. NGSFF nutzt nicht nur den Platz in solchen Gehäusen besonders gut aus, auch die Kühlung der SSDs soll einfacher sein. 36 solcher SSDs passen in ein Gehäuse, damit ist eine Gesamtkapazität von rund 576 TByte möglich. Im Vergleich zu einer Bestückung mit M.2-SSDs sei die Kapazität um den Faktor vier höher.

Neues Z-NAND

Das besonders schnelle, im vergangenen Jahr vorgestellte Z-NAND hat Samsung ebenfalls weiterentwickelt. Die zweite Generation hat eine nochmals verringerte Latenz. Erreicht hat Samsung das unter anderem durch getrennte Speicherbereiche für Lesen und Schreiben – eine genauere Erklärung blieb das Untersnehmen schuldig. Zum Einsatz kommt das neue Z-NAND in der SZ985, Angaben zu Kapazitäten, Marktstart oder Preisen sind noch nicht verfügbar.


(ll)